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型号 SI8407DB-T2-E1
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP
SI8407DB-T2-E1 PDF
代理商 SI8407DB-T2-E1
产品目录绘图 DB-T2-E1 Series 6-MFP
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 27 毫欧 @ 1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 900mV @ 350µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.47W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-MICRO FOOT?CSP
供应商设备封装 6-Micro Foot?
包装 标准包装
产品目录页面 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI8407DB-T2-E1DKR
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